池田屋贸易DIAVAC大亚真空 磁控溅射装置

池田屋贸易DIAVAC大亚真空 磁控溅射装置SR-350DS-31-N

池田屋贸易DIAVAC大亚真空 磁控溅射装置SR-350DS-31-N

在半导体、新能源及先进光学材料的研发中，薄膜的均匀性、致密度以及多层结构的界面质量是决定器件性能的关键。磁控溅射作为一种成熟的物理气相沉积（PVD）技术，能够在较低的温度下实现高质量薄膜的沉积。DIAVAC大亚真空推出的 SR-350DS-31-N 磁控溅射装置，以紧凑的规格局与多靶位配置，为实验室的薄膜材料探索提供了一种实用性较强的镀膜平台。

该装置在腔体设计上注重了操作的便利性。溅射室采用圆筒侧面开闭式真空腔，尺寸约为 φ350×D270mm，材质为 SUS304 不锈钢。侧开门结构使得更换靶材、放置基板以及清理腔体等日常维护工作更为直观方便。腔体上配置了 3 个阴极电极取付口，标配包含一个 3 英寸磁控阴极，并预留了最多 3 个共溅射的扩展可能。腔体到达压力可达 5×10⁻⁵ Pa 以下，配合高真空排气系统（含油扩散泵、油回转泵及液氮冷阱），有助于减少镀膜过程中的杂质气体残留。

在薄膜沉积控制方面，设备配备了 3 英寸的基板托盘与马达回转系统（转速 3~30rpm），平面水冷设计有助于在长时间溅射中控制基板温度。在铝（Al）靶材、靶基距 70mm 的条件下，设备参考的成膜速度约为 60nm/min，膜厚分布在 φ60mm 的范围内可控制在 ±10% 左右。射频电源采用 300W、13.56MHz 的高周波电源，配有手动 3 点切换器，支持在多靶之间切换或进行多元共溅射。

从适用场景来看，该装置适用于透明导电膜（如 ITO、AZO）、磁性薄膜、电池电极材料以及气体阻隔膜的制备。设备占地约为 2200×1300×1500mm，底部配有脚轮，便于在实验室内部移动布局。在实际操作中，需定期检查靶材的消耗情况与冷却水循环（0.13~0.15 MPa，6L/min），确保真空泵组的油质与冷阱的效能。可选配的直流电源、基板加热机构及涡轮分子泵，可进一步扩展其在金属薄膜沉积与高真空实验中的应用范围。