池田屋精品！坂口核级抗锯齿热处理微型设备（微型激光氢退火系统）技术参数

池田屋精品！坂口核级抗锯齿热处理微型设备（微型激光氢退火系统）技术参数

一、产品概述

坂口电热株式会社（Sakaguchi Electric Heaters Co., Ltd.）推出的核级抗锯齿热处理微型设备（微型激光氢退火系统），是一款基于氢气气氛退火（AAA技术）对三维硅微结构进行原子级平滑和圆角处理的设备。该技术由东北大学金森义明教授发明，并于2018-2020财年由东北大学、产业技术综合研究所（AIST）和微型制造推进机构联合开发实现商业化。型号适用于φ12.5mm晶圆的单片加工，通过快速升降温（2.5秒内升至1100℃）和稳定的温度控制（1100℃±0.5℃），可实现MEMS器件的高性能与高可靠性，适用于半导体制造、MEMS器件研发及微纳加工等领域。

二、产品规格

三、核心技术原理

1. 氢气气氛退火（AAA技术）
利用高温氢气环境下的硅原子迁移效应，使硅表面发生表面能量最小化转变，从而消除深反应离子刻蚀（DRIE）工艺中形成的侧壁扇贝状粗糙结构，实现三维结构的原子级平滑和圆角控制。

2. 与K型热电偶的对比优势
与K型热电偶相比，该技术受短程有序化（Short-range ordering）影响较小，在250℃至550℃温度区间的温度误差更小，性能更稳定。

3. 快速升降温
可在2.5秒内将晶圆加热至1100℃，并实现快速冷却，有效缩短工艺周期。

四、核心设计特征

1. 单晶圆加工
采用φ12.5mm晶圆单晶圆加工方式，适用于研发和小批量生产场景。

2. 紧凑型设计
外壳宽度约30cm，占地面积小，便于实验室和研发场所部署。

3. 无需洁净室
无需配置洁净室即可使用，大幅降低设备安装和运行成本。

4. 低功耗设计
额定功耗仅AC100V 10A，运行成本低。

5. 超高真空兼容
适用于5×10⁻⁵ Pa或更低的超高真空环境，满足高纯度工艺需求。

6. 的温度控制

• 快速升降温：2.5秒内达到1100℃

• 高精度控制：1100℃±0.5℃

• 优异均匀性：温度分布变化率仅0.5%

五、典型应用场景

六、选型要点

• 晶圆尺寸：确认是否适配φ12.5mm晶圆加工需求

• 工艺温度：确认所需退火温度是否在1100℃以内

• 真空要求：确认是否需要超高真空环境（≤5×10⁻⁵ Pa）

• 使用环境：确认是否无需洁净室即可部署

• 功耗容量：确认现场电源是否满足AC100V 10A要求

• 研发阶段：适用于实验室研发和小批量样品制备

七、注意事项

• 本产品为科研级设备，适用于研发和小批量生产场景

• 工艺参数（温度、时间、氢气流量等）需根据具体器件结构进行优化

• 氢气为可燃气体，使用前需确保通风和安全措施到位

• 建议参考东北大学金森实验室的相关研究文献

八、总结

坂口核级抗锯齿热处理微型设备通过氢气气氛退火技术，为MEMS器件和硅微结构的原子级平滑和圆角控制提供了一套紧凑、高效、低功耗的解决方案。其φ12.5mm单晶圆加工、2.5秒升至1100℃的快速升降温、1100℃±0.5℃的高精度控制及无需洁净室的特点，适用于MEMS制造、硅光波导研发及高校科研等需要高精度微纳加工的领域。